P型半g是空I浓度远大于自由?sh)子度的杂质半gQN型半g是自q(sh)子浓度远大于I穴度的杂质半g?/span>
P型和N型半g都是杂质半导体。掺杂过E涉?qing)向本征半导体添加掺杂剂原子Q从而在辑ֈ热^衡的q程中改变电(sh)子和I穴的分布?/span>
Ҏ(gu)杂质半导体中主要载流子的不同Q半g可分为P型半g和N型半g。引入杂质后的半g是许多电(sh)子器件的基础?/span>
p型半gn代表什么，p型半g和n型半g的区?/span>
不含杂质的半gUCؓ(f)本征半导体。半g和锗有四个最外层?sh)子Q因此称为四价元素，每个外层?sh)子度UCؓ(f)一个h(hun)?sh)子。ؓ(f)?jin)处于稳定状态，单晶和单晶锗中每个原子的四个h(hun)?sh)子必须与相d子的L(fng)(sh)子配对，形成所谓的׃h(hun)键?/span>
然而，׃h(hun)键中的电(sh)子不像绝~(sh)中的?sh)子那样紧密l合。由于能量激发（如光、温度变化）(j)Q部分电(sh)子可以挣脱原有的束缚(x)Q成q(sh)子?/span>
同时Q当׃h(hun)键中某处失去?sh)子Ӟ׃?x)留下相应的空位，UCؓ(f)I穴。自q(sh)子和I穴L成对出现?/span>
如果在本征半g上施加电(sh)压，则相{数量的两个带电(sh)_子Q称子Q会(x)产生甉|。一是自q(sh)子向正极q动形成的电(sh)子流?/span>
另一U是I穴向负极移动Ş成的I穴甉|。洞的形成像?sh)?jing)院里一P前排座位I着Q后排的Z前一后向前走。h往前走Q空地往后退。完全相同的?/span>
因此Q半g中同时存在电(sh)子传导和I穴传导Q但׃q两c蝲子数量较少Q导致半g的本征电(sh)导率q小于金属中自由?sh)子的?sh)导率?/span>
如果在本征半g中掺杂少量的杂质Q半g的导늎会(x)大大提高。在U半g（SiQ中掺杂量五h(hun)PPQ或三h(hun)|BQ，形成?sh)子半导体（UN型半gQ和I穴型半gQ简UP型半gQ）(j)。）(j)?/span>
在原子壛_中具有三个电(sh)子，被掺杂到U半g中。当原子与邻近的硅原子形成׃h(hun)键时Q它~Z?sh)子和空I。如叛_所C，每掺杂一个硼原子有一个空I_(d)q种半导体称为P型半g。P型半g中，I穴占多敎ͼ自由?sh)子占少敎ͼI穴为多数蝲子?/span>
同理Q纯半导体硅中掺杂原子外层有五个?sh)子的磷QŞ成N型半g?/span>