p型半導體n代表什么，p型半導體和n型半導體的區(qū)別
P型半導體是空穴濃度遠大于自由電子濃度的雜質(zhì)半導體；N型半導體是自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質(zhì)半導體。
P型和N型半導體都是雜質(zhì)半導體。摻雜過程涉及向本征半導體添加摻雜劑原子，從而在達到熱平衡的過程中改變電子和空穴的分布。
根據(jù)雜質(zhì)半導體中主要載流子的不同，半導體可分為P型半導體和N型半導體。引入雜質(zhì)后的半導體是許多電子器件的基礎(chǔ)。
p型半導體n代表什么，p型半導體和n型半導體的區(qū)別
不含雜質(zhì)的半導體稱為本征半導體。半導體硅和鍺有四個最外層電子，因此稱為四價元素，每個外層電子尺度稱為一個價電子。為了處于穩(wěn)定狀態(tài)，單晶硅和單晶鍺中每個原子的四個價電子必須與相鄰原子的價電子配對，形成所謂的共價鍵。
然而，共價鍵中的電子不像絕緣體中的電子那樣緊密結(jié)合。由于能量激發(fā)（如光、溫度變化），部分電子可以掙脫原有的束縛，成為自由電子。
同時，當共價鍵中某處失去電子時，就會留下相應(yīng)的空位，稱為空穴。自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)。
如果在本征半導體上施加電壓，則相等數(shù)量的兩個帶電粒子（稱為載流子）會產(chǎn)生電流。一是自由電子向正極運動形成的電子流。
另一種是空穴向負極移動形成的空穴電流。洞流的形成就像電影院里一樣，前排座位空著，后排的人一前一后向前走。人往前走，空地往后退。完全相同的。
因此，半導體中同時存在電子傳導和空穴傳導，但由于這兩類載流子數(shù)量較少，導致半導體的本征電導率遠小于金屬中自由電子的電導率。
如果在本征半導體中摻雜少量的雜質(zhì)，半導體的導電率將會大大提高。在純半導體硅（Si）中摻雜少量五價磷（P）或三價硼（B），形成電子半導體（簡稱N型半導體）和空穴型半導體（簡稱P型半導體））。）。
硼在原子殼層中具有三個電子，被摻雜到純半導體中。當硼原子與鄰近的硅原子形成共價鍵時，它缺乏電子和空穴。如右圖所示，每摻雜一個硼原子就有一個空穴，這種半導體稱為P型半導體。P型半導體中，空穴占多數(shù)，自由電子占少數(shù)，空穴為多數(shù)載流子。
同理，純半導體硅中摻雜原子外層有五個電子的磷，形成N型半導體。